한국의 반도체 전공정 장비업체인 HPSP는 고압어닐링공정(High Pressure Annealing) 및 고압산화공정(High pressure Oxidation)에 관한 연구개발을 강화할 계획이다.

이와 별도로 국내에 신규 R&D 센터 개관을 통해 HPSP는 HPA 및 HPO 기술을 기존 공정 이외에 타 공정으로 확장할 수 있는 새로운 공정 기술 개발을 추진할 계획이다. 또한 선단공정에서 필수 공정으로 채택되고 있는 고압수소어닐링 공정을 기반으로 다른 가스를 활용한 HPA 및 HPO에 대한 연구도 본격적으로 진행할 예정이다.

HPSP가 전 세계 유일하게 공급하고 있는 고압수소어닐링 장비는 반도체 소자의 계면의 결함을 제거해 트랜지스터의 성능 및 신뢰성을 향상하는 장비이다. 반도체 기술의 발전에 따른 고집적화·고전력화·고속화에 따라 게이트(Gate)에서 낮은 누설 전류가 요구되며, 이러한 반도체 소자의 특성상 계면의 안정성 확보에 많은 연구개발이 진행되고 있어 소자 계면의 문제점 개선을 위한 시장 수요는 계속해서 확장되고 있다. 또한 기존의 고온어닐링장비는 10nm 이하의 선단공정에서 사용이 제한되는 데 반해 HPSP 고압수소어닐링장비는 상대적으로 낮은 공정온도에서 고압과 고농도의 수소를 활용해 어닐링을 진행하므로 최선단공정(2nm 이하)까지 적용할 수 있다.

신규 고압 공정 장비의 개발을 촉진하기 위해 HPSP는 imec과 함께 공동연구개발 프로젝트(Joint Development Project) 협약을 체결했다. 공동연구개발 협약식은 1월 10일 벨기에 루벤에 위치한 imec 본사에서 열렸으며, HPSP와 imec 주요 임원 및 관계자들이 참석했다. 김용운 HPSP 대표이사는 “imec의 최첨단 연구 프로그램을 통해 HPSP의 고압 공정 장비가 차세대 반도체 제조 공정에 확대 적용될 수 있을 것으로 기대한다”고 말했다.

HPSP는 2015년부터 imec과 함께 고압어닐링공정을 다양한 소자에 적용하고 효과를 검증하는 연구를 진행하고 있다. 고압어닐링은 imec 핵심 파트너사의 반도체 제조 공정에 성공적으로 적용됐으며 FinFET, GAA, 고성능 DRAM 및 3D NAND 등 다양한 반도체 소자의 성능 향상에 크게 기여한 것이 입증됐다.

HPSP는 HPA와 HPO가 CFET, 3D 메모리 디바이스 등 반도체 첨단소자에서 미치는 영향에 대한 선행 연구를 진행하고 있으며, HPA와 HPO를 차세대 반도체 제조공정에 적용하기 위해 고객 및 imec과 적극적으로 협력해 사업 기회를 확대해 나갈 예정이다. 이를 통해 HPSP는 반도체 제조사의 차세대 공정 개발에 적극적으로 참여해 나갈 것이다.

또한 HPSP는 세계 최고 수준의 반도체 제조사를 파트너로 두고 있는 imec과의 공동연구를 통해 업계 최고의 반도체 장비회사로서의 지위를 공고히 하고, 고객이 신뢰할 수 있는 장비회사로서의 위상을 높여 나아갈 계획이다. 궁극적으로 세계 최고의 반도체 생산 기업들이 제품의 성능과 신뢰성을 높여 최첨단 제품을 생산할 수 있도록 지원할 방침이다.